Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%

Полевые транзисторы

  • Производитель
  • Корпус
  • Конфигурация и полярность
  • Максимальное напряжение сток-исток
  • Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
  • Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
  • Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Найдено: 32033
Вид:
Наименование
Наличие
Цена
Корпус
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
2N7002.215 (NEX-NXP)
+
16948826 1,80
FDV303N (FAIR)
+
13315524 2,40
BS870-7-F (DIODES)
+
11069321 2,18
BSS138 (FAIR) хит
+
6859346 2,30
2N7002LT1G (ONS) хит
+
6855213 1,30
BSS84 (FAIR) хит
+
6837799 2,20
2N7002 (FAIR) хит
+
6080256 2,20
MMBF170LT1G (ONS)
+
5401737 2,60
FDV304P (FAIR)
+
5094804 2,40
IRLML6402TRPBF (INFIN) хит
+
4252423 5,80
MMBF170 (FAIR)
+
4112913 1,85
2N7002-7-F (DIODES)
+
4101647 1,20
BSS84.215 (NEX-NXP)
+
4097463 3,00
NDS7002A (FAIR)
+
3938259 2,50
BSS138LT1G (ONS)
+
3799438 2,10
BSS123 (FAIR) хит
+
3723799 2,20
IRLML6401TRPBF (INFIN) хит
+
3710140 6,30
2N7002BK.215 (NEX-NXP)
+
3605758 1,34
EFC6601R-TR (ONS)
+
3436717 20,44
NTMFS4C05NT1G-001 (ONS)
+
3337500 19,97 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

MOSFET транзисторы

Полевые транзисторы MOSFET

MOSFET это один из типов транзисторов – полевой транзистор с изолированным затвором. В русском языке принято сокращение МОП или МДП-транзистор. Здесь затвор изолирован от канала слоем диэлектрика – двуокисью кремния. MOSFET транзисторы с встроенным каналом открыты при нулевом напряжении на затворе в отличие от приборов с индуцированным каналом для открывания которых требуется приложить напряжение больше напряжения отпирания.

Наибольшую популярность получили MOSFET транзисторы с индуцированным N-каналом для управления которыми требуется положительный потенциал относительно истока, но и P-канальные транзисторы тоже востребованы в ряде случаев.

Работа MOSFET транзисторов

В отличие от биполярных транзисторов, управляемых током, полевые управляются потенциалом. Основные преимущества MOSFET транзисторов: меньшие потери на управление, более высокая скорость переключения, положительная температурная зависимость сопротивления открытого канала от температуры, отсутствие вторичного пробоя.

Выбор MOSFET транзисторов

Основными параметрами для выбора MOSFET транзисторов являются:

  • максимальное напряжение сток-исток, V(BR)DSS;
  • ток стока номинальный, ID;
  • сопротивление открытого канала, Rds(on);
  • рассеиваемая мощность, PD;
  • заряд затвора, Qg

Выбор типа канала, максимального напряжения, тока и рассеиваемой мощности определяется конкретными требованиями применяемого схемотехнического решения. При работе в ключевом режиме важным параметром является сопротивление открытого канала, оно определяет потери в статическом режиме. Величина заряда затвора определяет выбор управляющих цепей для обеспечения требуемого быстродействия. Управляющее напряжение MOSFET транзисторов обычно составляет 10-15 В, максимально допустимое 20-30 В. Для управления от цифровых устройств производят транзисторы с пониженным напряжением отпирания – MOSFET с логическим управлением.

Конструкция MOSFET транзисторов

MOSFET транзисторы выпускаются в различных типах корпусов, начиная от миниатюрных типоразмера 0402 (1,0 x 0,6 мм) и до TO-274. Имеются сборки их двух транзисторов или транзистор и диод Шоттки в популярных корпусах SOIC-8.

Купить MOSFET транзисторы

В ДКО Электронщик можно купить MOSFET-транзисторы мировых лидеров Fairchild, Infineon, NXP, ON Semiconductor, ST Microelectronics, TOSHIBA, Vishay.