Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%

IGBT транзисторы

  • Производитель
  • Корпус
  • Напряжение К-Э максимальное
  • Ток коллектора максимальный при 25°C
  • Напряжение насыщения К-Э
Найдено: 3462
Вид:
Наименование
Наличие
Цена
Корпус
Напряжение К-Э максимальное
Ток коллектора максимальный при 25°C
NGB18N40CLBT4 (ONS)
+
504687 36,13
STGP7NC60HD (ST)
+
416106 35,92
TIG052TS-TL-E (ONS)
+
327000 97,93
NGTB30N135IHRWG (ONS)
+
319078 159,89
NGD15N41ACLT4G (LTL)
+
246145 43,53
STGP10NC60KD (ST)
+
212704 76,00
TIG058E8-TL-H (ONS)
+
210070 22,82
IRG4IBC20UDPBF (INFIN) хит
+
206986 109,00
TIG065E8-TL-H (ONS)
+
154564 22,82
NGB8202ANT4G (LTL)
+
96997 55,41
NGD8205NT4G (ONS)
+
87500 66,56
STGB7NC60HDT4 (ST)
+
86415 41,33
IRG4PC50KDPBF (INFIN)
+
84580 177,72
FGH40T100SMD (FAIR)
+
81806 292,00
IRGP30B60KD-EP (INFIN)
+
74401 138,79
IRG4PC30UPBF (INFIN)
+
70653 76,33
STGW30NC120HD (ST) хит
+
70270 205,00
IRG4PC50SPBF (INFIN)
+
57852 250,00
IRG4PC50UDPBF (INFIN) хит
+
55296 336,00
FGH40N60UFDTU (FAIR) хит
+
54132 139,56

IGBT транзисторы – активные полупроводниковые компонентные сборки, сочетающие в себе свойства биполярных и полевых транзисторов. Они предназначены для усиления мощности на коллекторепри оптимальном расчётном значении управляющего напряжения на изолированном затворе.

IGBT транзисторы имеют три вывода и выполняют интегрированные функции двух транзисторных каскадов: первого каскада - на основе полевого транзистора, и второго каскада – на основе биполярного транзистора.

IGBT транзисторы отличаются от обычных биполярных транзисторов высокой скоростью переключения в режим насыщения при незначительном управляющем значении потенциала поданного на изолированный затвор. Это свойство является особо ценным при использовании IGBT в качестве переключающих элементов (ключей) в силовых установках.

IGBT транзисторы находят своё применение в системах энергообеспечения на железнодорожном транспорте, медицине и энергетике.